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石英晶體諧振器選型要求
作者：編輯
來源：本站原創(chuàng)
日期：2021-07-10

時(shí)鐘32.768KHZ晶體諧振器封裝選擇，在滿足穩(wěn)定性的條件下，優(yōu)先選用插件封裝（φ2*6，φ3*8），價(jià)格相對較有優(yōu)勢。貼片的價(jià)格相對較貴，穩(wěn)定性好，占用空間小，適合自動貼裝。

高頻晶體諧振器封裝選擇，對穩(wěn)定性要求不高的電路，優(yōu)先選擇49S或者49SMD封裝，價(jià)格相對較有優(yōu)勢。SMD5070、SMD5032、SMD3225及SMD2016等價(jià)格相對49S系列高出很多。1.8432MHZ的封裝只能選擇49U的封裝。

石英晶體諧振器頻率偏差選擇，其主要包括調(diào)整頻差和溫度頻差，通常選用的為30PPM。

負(fù)載電容CL是組成振蕩電路時(shí)的必備條件。在通常的振蕩電路中，石英晶體諧振器作為感抗，而振蕩電路作為一個(gè)容抗被使用。負(fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線性的，負(fù)載電容小時(shí)，頻率偏差量大，當(dāng)負(fù)載電容提高時(shí)，頻率偏差量減小。當(dāng)振蕩電路中的負(fù)載電容減少時(shí)，諧振頻率發(fā)生較大的頻差，甚至當(dāng)電路發(fā)生一個(gè)小變化時(shí)，頻率的穩(wěn)定性就會受到巨大影響。負(fù)載電容可以是任意值，但10～30PF會更佳。

厚度切變振蕩模式已廣泛的被使用，除32.768K晶體采用音叉振動模式外，其他石英晶體均采用厚度切變振動模式。

Q值是石英晶體諧振器等效電路中動態(tài)臂諧振時(shí)的品質(zhì)因素，振蕩電路所能獲得的最大穩(wěn)定性直接與電路中晶體的Q值相關(guān)，Q值越高，外部電抗對晶體的影響越小。當(dāng)然也不能一味的追求高Q值，其犧牲的是成本。

靜態(tài)電容通用為≤7pf，工作溫度常用的是-10℃～60℃、-20℃～70℃、-40℃～85℃，常用的激勵功率為10μW～0.1μW，年老化率通常為3PPM/year和5PPM/year。

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